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在上一篇IT文章《风起小米100》浪在LPDDR 5背后的内存江湖（上）中，西园简单为大家科普一下什么是小米10的科普内存，并由LPDDR 内存的演变。
按照计划，本文将与大多数IT伙伴一起，共同分享DRAM存储市场的发展和中国在DRAM领域的进步。无论当前的国际形势如何，中国都不可避免地要迈出半导体产业自力更生的这一步。因此，本文也将介绍目前国内的情况。DRAM内存产业何去何从？
1、共同瞄准1Z纳米工艺。经常使用IT的朋友一定知道，计算机系统结构中内存分为三种：高速缓存、内存、存储。
高速缓存通常用于SRAM。虽然它对运行速度的要求是最高的，但是对容量等方面的要求这些年来并没有太大的变化。存储指的就是我们通常所说的闪存，包括硬盘、U盘等，对其容量的需求增长太快，存储介质也在发生变化。
▲ 图片来自：
因此，只有内存DRAM市场一直是最稳定和最大的。
就DRAM市场格局而言，经过50多年的竞争和发展，目前全球DRAM寡头垄断已经形成市场。
公开资料显示，2018年，三星、SK海力士和美光分别占全球DRAM市场的46%、29%和21%，三者合计占比超过95%。
LPDDR的三大供应商自然是主要的。
内存并没有像工艺 CPU 那样向 5nm 和 3nm 迈进。制程进入20nm后，内存制造难度越来越大，产业也遇到了一些瓶颈。在10nm级别，业界将其分为三代节点，即1Xnm（16-19nm）、1Ynm（14-16nm）、1Znm（12-14nm）。
以最强大的三星为例。下图是三星官方给出的LPDDR内存的生产历史：
2018年7月，三星开始量产1Y纳米工艺内存。
随后在2019年3月，他们已经在研发1Z纳米工艺DRAM，并计划在2019年下半年开始量产。
这种技术进步已经领先于三巨头。
2019年7月，三星开发出8Gb内存。2019年7月18日开始量产高端智能手机12Gb内存，工艺1Y纳米。
IT 的家人在 S 之前就已经报道过了，我们可以看到三星目前已经完成了 16 条新闻 Gb。
众所周知，小米10系列的供应商还包括三星和美光。而小米10系列前期用的是美光。事实上，美光在LPDDR工艺上的研发进展还是比较顺利的。比如这次交付给小米的内存也是1Y纳米工艺。
此外，美光已于2019年8月开始量产1Znm DRAM（16Gb DDR4），并计划于今年晚些时候推出相关产品。
海力士进展缓慢，直到2019年4月才宣布发售纳米工艺的内存芯片。今年CES只展出了2020年的内存方案原型，目前正在努力完善16Gb的1Znm工艺DDR4。量产积极拓展到LPDDR，其他市场如今年5也有望量产。
总的来说，1Z纳米工艺是行业巨头下一步研究的重点，我们将在今年晚些时候看到实际产品。当然，它可能不适合手机的 LPDDR 内存。
2、中国DRAM产业风雨飘摇40年。赶上机遇，与IT家族小伙伴分享一组更心痛的数据。
据IC调查报告显示，2016年，中国本土市场消费了1070亿美元的半导体产品，约占全球需求的30%。
根据光大证券在《2017年中国集成电路产业现状分析》报告中给出的中国核心集成电路自给率数据，DRAM的自给率为0%。基本上完全依赖进口状态。
当然，这些数据是2016年和2017年的数据，中国已经有好几年了，DRAM产业也取得了一些可喜的进步。下面我们就来说说吧。
刚才西元介绍DRAM的时候，相信大家都知道全球产业格局的基本情况。
在这样的寡头垄断局面下，中国DRAM存储产业还有机会突围吗？我们在哪？
接下来，西园不妨为大家介绍一下中国DRAM产业的发展情况。
说起来，中国的DRAM，其实产业的发展还不算晚。它已有40多年的发展历史，但受技术、市场、产业链等因素影响，并未真正发展成为成熟的产业体系。
1975年，北京大学物理系王阳元等半导体课题组在109厂采用硅栅N通信技术生产出中国第一块K DRAM。
1978年，中国科学院半导体研究所研制成功4K DRAM；1981年，16K DRAM研制成功。
1986-1989 华晶电子集团与永川半导体无锡分公司合并成立中科院742，成功研制出中国第一块64k DRAM，采用2.5微米工艺。
20世纪90年代，中国DRAM产业开始尝试早期的市场探索。
其中，无锡华晶电子（1990-1995）在国务院八五计划中，以15亿元的支持建设月产能12000片的6英寸晶圆厂，成功开发出256K DRAM用于第一次是在 1993 年。
▲华晶微电子前身无锡742厂
1995年和1999年，NEC和华虹NEC在1999年分别推出了4M DRAM和64M DRAM内存芯片，尤其是后者采用了0.35微米工艺，也达到了当时业界的主流水平。
首钢NEC和华虹NEC都有当时日本IT巨头NEC的投资背景。例如，华虹NEC 上海市政府 5 华虹微电子与日本投资1亿美元组建NEC。日本共同出资2亿美元成立NEC。
类似的探索发生在21世纪的前十年。在政府的支持下，自主研发的主要特点是技术引进。
这一时期的探索最终不是很成功，主要是受技术、设备封锁、海外合作厂商衰落等因素影响。不过，这些也是中国DRAM产业积累的宝贵经验和人才基础。
2010年后，中国DRAM产业实现了新的发展局面。
这一时期，海外并购成为主要特征。这里有两件重要的并购事件，分别是2015年清华紫光收购奇梦达和大陆资本收购ISSI。
先说第一个吧。奇梦达的前身是德国英飞凌科技于2003年在中国西安成立的内存事业部，后独立成为奇梦达科技。所以，它是德国的。
但奇梦达科技在2009年破产时遇到困难，同年被浪潮集团收购，更名为西安华芯半导体有限公司。
随后，在2015年，紫光集团旗下的紫光国芯有限公司收购了西安华芯半导体（我们称之为奇梦达），收购后的公司名称为西安紫光国芯半导体有限公司。 .
此次收购填补了国内DRAM芯片设计的空白。清华紫光在2017年进行了DDR内存芯片和模组的设计研发，IT之家也做了相关报道。
不过，紫光集团的业务重心并不在DRAM上。虽然当时是这么说的，但似乎直到2019年才采取实际行动。
二是内地资本收购ISSI。ISSI是一家成立于1988年的美国公司，专业从事高速、低功耗SRAM、中/低密度DRAM、NOR闪存产品的设计与开发，主要应用于汽车、工业、医疗和消费电子产品。
2009年12月从纳斯达克退市，五岳峰资本主导的中资财团完成了反制。ISSI北京硅业是此次私有化收购的主体。在私有化和所有制的过程中，美国遇到了障碍。后来，北京硅差点被兆易创新和思源电气收购，终于实现了北京君正的资本化。整个过程也是曲折的。
总的来说，收购ISSI标志着海外DRAM厂商首次融入中国内存产业。
但是，这两次重要的收购，给国内DRAM存储市场带来的是芯片设计能力，而不是从设计到制造再到封装测试的系统能力（IDM）。
2014年至今，中国存储行业真正开启了IDM时代。
目前国内DRAM市场主要有紫光国芯、福建晋华、合肥长鑫、长江存储等。合肥长鑫目前相对乐观。
由于近年来中国对半导体存储器产业的集中投资逐渐取得成效，如果在中国设立的存储器企业实现量产，将对行业巨头构成巨大威胁。正如我们之前所说，全球近三分之一的半导体需求来自中国。如果中国能够自给自足，这些巨头将如何开展业务？
美国存储巨头美光从2016年开始就对台湾联电和福建晋华提起诉讼，诉因无非是侵犯知识产权，但这些诉讼要么无果，要么被美国联邦法院驳回。台湾联电与福建晋华此前已建立合作关系。
▲ 图片来自：福建晋华官网
这些诉讼才刚刚开始。
最后，美国商务部于2018年10月30日发布公告，确认美国工业与安全局执行BIS将福建晋华列入实体清单的决定，所有美国公司不得销售所有软件、设备向福建金华提供技术服务，无需申请特免。
这一禁令无疑让刚刚完善的国内禁令DRAM存储市场一下子陷入阴霾。
福建晋华作为我国“十三五”集成电路重大产能布局的企业，在2018年底成为第二批量产计划也被搁置，目前进展不尽如人意。
与此同时，业界也担心国内另一家DRAM企业合肥长鑫仓库是否会成为下一个被打压的企业。
合肥长鑫存储科技有限公司由合肥市政府投资平台合肥产投与国内龙头企业兆易创新于2016年5月共同投资兴建，也是安徽省单体投资规模最大的产业项目省。
事实上，2017年，美光曾向数百名从台湾华亚客跳槽到合肥长鑫的员工发送了一封保证书，表明美光对合肥长鑫的关注。
▲ 图片来自：合肥长信官网
一时间，业内有很多猜测和看法。讨论的关键之一是合肥长鑫的技术从何而来？
相信IT朋友们也明白这一点的重要性。首先，我们必须确保我们使用的技术本身不是问题。
终于在2019年5月，合肥长鑫表示，他们的DRAM技术基础来自德国奇梦达半导体。
没错，就是我们十年前提到的奇梦达。
在宣布破产前，奇梦达曾在DRAM基础堆叠技术（ gate word line ）上取得成功，其实验室研发已达46nm，但因走弯路和资金难以为继而倒闭。
▲ 图片来自：中国闪存市场峰会，长鑫存储演讲环节
奇梦达虽然倒闭了，但他们的技术相当先进，已经让合肥长鑫存储等多家半导体公司受益。通过与奇梦达的合作，他们获得了超过1000万份相关信息DRAM技术文档和2.8TB数据。
这些技术数据是合肥长鑫进一步创新发展的基础。DRAM还能继续火。
▲ 图片来自：中国闪存市场峰会，长鑫存储演讲环节
目前，合肥长鑫已于2019年底开始量产国内第一条19nm 8Gb内存，也就是上述的1Xnm工艺。
这意味着他们已经是中国第一家也是唯一一家DRAM公司。换句话说，它们可能是中国厂商突破DRAM自给率的第一步。
此外，合肥长鑫8
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